Моделирование и проектирование СВЧ МИС

Разработать модели СВЧ транзисторов, создать библиотеки PDK для систем автоматизированного проектирования (САПР) и разработать на их основе МИС буферного усилителя, МШУ и аттенюатора.

1) изучение основных принципов и аспектов проектирования СВЧ МИС; 2) разработка моделей СВЧ транзисторов, создание библиотека PDK, обеспечивающих проектирование СВЧ МИС в САПР с учётом отечественных производственных норм; 3) разработка СВЧ МИС: буферный усилитель для диапазона частот f = 8-18 ГГц с коэффициентом усиления S21 > 14 дБ и выходной мощностью P1dB > 15 дБМ; 4) разработка СВЧ МИС: МШУ для диапазона частот f = 3-5 ГГц с коэффициентом усиления S21 > 20 дБ, коэффициентом шума NF < 3 дБ и выходной мощностью P1dB > 13 дБм; 5) разработка СВЧ МИС: 6-битный аттенюатор для диапазона частот f = 10-15 ГГц с минимальными вносимыми потерями S21 < 7 дБ и вносимым ослаблением 31,5 дБ.

При выполнении данного практико-ориентированного проекта будут изучены основные принципы и аспекты проектирования СВЧ МИС. Будут разработаны модели СВЧ транзисторов, создана библиотека PDK, обеспечивающая проектирование СВЧ МИС в САПР с учётом отечественных производственных норм. Будут разработаны СВЧ МИС: буферный усилитель для диапазона частот f = 8-18 ГГц с коэффициентом усиления S21 > 14 дБ и выходной мощностью P1dB > 15 дБМ; МШУ для диапазона частот f = 3-5 ГГц с коэффициентом усиления S21 > 20 дБ, коэффициентом шума NF < 3 дБ и выходной мощностью P1dB > 13 дБм; 6-битный аттенюатор для диапазона частот f = 10-15 ГГц с минимальными вносимыми потерями S21 < 7 дБ и вносимым ослаблением 31,5 дБ.

Проект направлен на усиление практической подготовки кадров для предприятий, работающих в области СВЧ микроэлектроники. Проект реализуется на базе АО «НПФ «Микран», выполнение проекта позволит поднять уровень проектирования СВЧ МИС выпускников кафедры ФЭ ТУСУР. Кроме задач подготовки специалистов в данной области при выполнении проекта будут получены и значимые научные результаты по разработке подходов в моделировании и проектировании современных СВЧ МИС с перспективой изготовления на базе технологической площадки АО «НПФ «Микран».

Практическая значимость выполнения проекта заключается в изучении студентами методов и подходов моделирования и проектирования СВЧ МИС современного уровня. Кроме того, практически значимыми результатами являются разработка моделей СВЧ транзисторов и создание специализированной библиотеки PDK, адаптированной под отечественные технологические процессы, разработка на ее основе СВЧ МИС буферного усилителя, МШУ и аттенюатора.

АО «НПФ «Микран», ТУСУР, АО «НИИПП»

Научная новизна проекта заключается в разработке моделей СВЧ транзисторов и библиотек PDK, а также в последующей разработке на их основе СВЧ МИС.